高純鉿（Hf）靶材 99.99%

鉿濺射靶材 具有與金屬鉿相同的性能。它的熔點2233 °C，沸點4603°C，密度13.31g /cm3，是一種帶光澤的銀灰色的過渡金屬。金屬鉿強度適中，抗腐蝕性好，中子吸收能力高，大量用于原子能工業(yè)；鉿可以生成多種合金，還可作賤金屬的表面包膜。 我公司可提供進口低鋯高純鉿，可加工成靶材，顆粒等。 ? 鉿靶材制備工藝流程 備料 - 電子束熔煉 - 化學分析 - 鍛造 - 軋制 - 退火 - 金相

2024-07-03 面議/片

高純鍺（Ge）靶材 99.999%

鍺濺射靶材由高純鍺金屬組成。是一種硬而脆的材料，具有半金屬，灰白色的外觀。它的密度為5.35 g / cc，熔點為937°C，在1,167°C下的蒸氣壓為10 -4 Torr。在光學存儲介質(zhì)和光學涂層的生產(chǎn)中，它經(jīng)常在真空下蒸發(fā)以形成層。這種材料的其他用途是用作合金化劑和催化劑。 鍺靶材制備工藝流程 備料 - 區(qū)域熔煉 - 化學分析 - 鍛造 - 軋制 - 退火 - 金相檢測 - 機加工 -

2024-07-03 面議/片

硒化鋅（ZnSe）靶材 99.99%

硒化鋅材料對熱沖擊具有很高的承受能力，使它成為高功率CO2激光器系統(tǒng)中的光學材料。硬度只是多光譜級ZnS的2/3，材質(zhì)較軟易產(chǎn)生劃痕，而且材料折射率較大，所以需要在其表面鍍制高硬度減反射膜來加以保護并獲得較高的透過率。在其常用光譜范圍內(nèi)，散射很低。在用做高功率激光器件時，需要嚴格控制材料的體吸收和內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷，并采用最小破壞程度的拋光技術和光學質(zhì)量的鍍膜工藝。 光學性能 體吸收系數(shù) ： 0.00

2024-07-03 面議/片

硒化銻（Sb2Se3）靶材 99.99

硒化銻（Sb2Se3）靶材 99.99% 理化性質(zhì)硒化銻為灰色塊狀物，熔點：611℃。分子量: 480.4。CAS號: 1315-05-5。密度: 5.843g/cm3。保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置。 應用領域三硒化二銻是一種無機化合物，化學式為Sb2Se3。它在自然界以硫化物礦石硒銻礦存在，晶體結(jié)構(gòu)屬于正交晶系。這種化合物中，銻的氧化態(tài)為 3而硒為-

2024-07-03 面議/片

硒化鎘（CdSe）靶材 99.99%

硒化鎘（CdSe）靶材? 99.99% 理化性質(zhì) 熔點：1350℃。分子量: 191.371。CAS號: 1306-24-7。密度: 5.81g/cm3 1.由金屬鎘與硒化氫共熱可制得硒化鎘。也可通過高溫，使金屬鎘與硒直接化合而得。2.將硒化氫氣體通入氯化鎘溶液，使硒化鎘沉淀析出，通過抽濾、洗滌、干燥，便可得硒化鎘產(chǎn)品。應用領域用于電子發(fā)射器和光譜分析、光導體、半導體、光敏元件等。 ?

2024-07-02 面議/片

硒化鉍（Bi2Se3）靶材 99.99

硒化鉍（Bi2Se3）靶材 99.99% 理化性質(zhì)硒化鉍斜方六面體晶結(jié)構(gòu)。黑色結(jié)晶體物質(zhì). 密度6.82g/cm3。熔點710℃。不溶于堿，易為濃酸、王水所分解。由硒和鉍直接反應或氧化鉍和硒化氫作用制取，為半導體材料和溫差電材料。 應用領域它是一種半導體，為熱電材料。具有完美化學計量比的硒化鉍是半導體，帶寬為0.3 eV，其硒空穴是電子授體，化學性質(zhì)類似半金屬. 在硒化鉍中，觀察到了拓撲保護表面態(tài)

2024-07-02 面議/片

鐵酸鉍（BiFeO3）靶材 99.99

鐵酸鉍（BiFeO3）靶材 99.99% 鐵酸鉍(BiFeO3 )，屬于多鐵性(multiferroic)材料的一種，具有鐵電性和反鐵磁性，是當前多鐵材料研究的熱點之一。其鐵電居里溫度820 ℃，反鐵磁奈爾溫度370℃，因此在室溫下具有多鐵性，其具有廣闊的應用前景

2024-07-02 面議/片

銻化鋅（Zn3Sb2）靶材 99.99

銻化鋅（Zn3Sb2）靶材 99.99%

2024-07-02 面議/片

羥基磷灰石（Ca5HO13P3）靶

羥基磷灰石（Ca5HO13P3）靶材 99.9%

2024-07-02 面議/片