氧化亞銅（Cu2O）靶材 99.9%

氧化銅靶材由于其特性，可以用于多種應(yīng)用，包括但不限于： 1.??? 集成電路（IC）制造：在IC制造中，氧化銅靶材可以用于形成導(dǎo)電路徑、絕緣層和各種功能性薄膜。 2.??? 光伏產(chǎn)業(yè)：氧化銅靶材作為太陽(yáng)能電池的核心材料，用于捕獲太陽(yáng)光并轉(zhuǎn)化為電能。 3.??? 顯示技術(shù)：包括液晶顯示（LCD）和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）技術(shù)，靶材用于制造顯示屏的導(dǎo)電層和發(fā)光層。 4.??? 存儲(chǔ)技術(shù)：在硬盤驅(qū)動(dòng)器

2024-06-21 面議/片

氧化銅（CuO）靶材 99.99%

氧化銅（CuO）靶材 顏色：黑色 純度：3N,4N 規(guī)格：D25.4x6.35mm，D54x1.5mm，D101.6x3.175mm ? 氧化銅靶材（CuO target）是一種在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的濺射靶材。濺射靶材是在物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）等半導(dǎo)體制造過(guò)程中，用于沉積形成薄膜或涂層的固態(tài)材料。這些薄膜或涂層在半導(dǎo)體器件中承擔(dān)電氣、光學(xué)或結(jié)構(gòu)功能，是實(shí)現(xiàn)高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品

2024-06-21 面議/片

氧化鉻（Cr2O3）靶材 99.99%

氧化鉻靶材?氧化鉻顆粒 純度：99.99% 分子式：Cr2O3 分子量：151.99 CAS：1308-38-9 熔點(diǎn):2435℃ 折射率：2.551 密度：5.21 顏色：暗綠色晶體 在10-4Torr蒸發(fā)溫度：200℃? 薄膜的機(jī)械和化學(xué)性質(zhì)：對(duì)低的氧化物不相稱，空氣中600℃重新氧化；應(yīng)用：吸收膜、制造低溫（900℃）紅釉、可加入搪瓷中可獲得綠色；用于搪瓷底釉或者面釉；可用于瓷釉中，以產(chǎn)生鉻

2024-06-21 面議/片

氧化鈷（Co2O3 ）靶材 99.9%

三氧化二鈷（Co2O3），為無(wú)機(jī)化合物，是鈷的黑色氧化物

2024-06-21 面議/片

氧化鉍（Bi2O3）靶材 99.99%

三氧化二鉍靶材 純度：99.99% 化學(xué)式：Bi2O3 熔點(diǎn)：825℃ 密度：8.9 折射率：2.5 透明波段：0.4微米

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氧化鎵（Ga2O3）靶材 99.999

三氧化二鎵靶材 純度：99.999% 化學(xué)式：Ga2O3 分子量：187.44 CAS：12024-21-4 熔點(diǎn)：1740℃ 三氧化二鎵用作高純分析**、應(yīng)于電子工業(yè)半導(dǎo)體的制備。

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三氧化鉬（MoO3）靶材 99.99

三氧化鉬（MoO3）靶材 99.99%

2024-06-21 面議/片

二氧化錳（MnO2）靶材 99.9

二氧化錳顆粒 純度：99.99% 分子式：MnO2 分子量：86.94 CAS號(hào)：1313-13-9 熔點(diǎn)：535℃ 密度：5.03 二氧化錳用于金屬錳、特種合金和電子材料鐵氧體等，不適合電子束蒸發(fā)。

2024-06-21 面議/片

氧化鎂（MgO）靶材 99.99%

氧化鎂靶材 純度：99.99% 分子式：MgO 分子量：40.3 熔點(diǎn)：2852℃ 沸點(diǎn)：3600℃ CAS號(hào)：1309-48-4 密度：3.58 外觀：白色 硬度：6.0-6.5 在10ˉ4真空下蒸發(fā)溫度為：1500℃? 溶 解 于：強(qiáng)酸，不溶于水和乙醇 透明波段：200-8000nm? 折射率(波長(zhǎng)/nm)：1.85(220) ?1.7(500) 性能：有高度耐火絕緣性能，高溫下具有優(yōu)良的耐酸

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